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SLM2001S

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2001S Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2001S是一款高压、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采用（yòng）专有的高压集（jí）成电（diàn）路和（hé）锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可（kě）提供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动（dòng）器具有高（gāo）脉冲电（diàn）流缓冲级，以（yǐ）减小驱动器交叉导通（tōng）。浮动通道可（kě）用于（yú）驱动高边配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达200V。

产（chǎn）品特性

为自（zì）举操作设计的浮动通道

完（wán）全运行时电压（yā）高达 200V

容（róng）许（xǔ）瞬（shùn）间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范围从 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑（jí）输入（rù）兼容

驱动电（diàn）流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑

两通道间（jiān）匹配（pèi）传输延迟

输出信号与输入信号同（tóng）相（xiàng）

通过无铅（qiān）认证