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SLM2003E

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003E Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性

安规认证

典型应（yīng）用图

产品（pǐn）概（gài）述

SLM2003E 是一款高压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专（zhuān）有的高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可提供可靠的单芯片驱（qū）动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最（zuì）低支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器具（jù）有高脉冲电流缓（huǎn）冲级（jí），以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产（chǎn）品特性

为自举操（cāo）作设计（jì）的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 和 10V 逻（luó）辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉导通（tōng）逻辑

两通道间匹配传输延迟

输出（chū）信号与（yǔ）输（shū）入信号同相

通过无铅（qiān）认证