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SLM2005E

200V低压驱动芯片（piàn）

样（yàng）片申（shēn）请

SLM2005E Datasheet

产品概（gài）述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2005E 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集（jí）成电路和（hé）锁存免疫的CMOS技术可提（tí）供可靠的单芯（xīn）片驱动方案。逻辑（jí）输入电平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低支持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有高脉冲（chōng）电流缓冲级（jí），以减小驱动器（qì）交叉导（dǎo）通。浮动通道（dào）可用于（yú）驱动高边配（pèi）置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达（dá） 200V

容（róng）许瞬间负电（diàn）压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻（luó）辑输（shū）入兼容

驱动电流（liú）：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配传输（shū）延（yán）迟（chí）

输（shū）出信号与输入信号同（tóng）相

通过无（wú）铅认证