SLM21867是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它（tā）提供（gòng）独立的（de）高边、低边输出驱动信号（hào）。采用专有的高压集（jí）成电路（lù）和锁存免疫CMOS技术，提供（gòng）可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑（jí）。输出驱（qū）动器具有高脉冲电流缓冲级（jí），以（yǐ）减小驱动器交叉导（dǎo）通（tōng）。延（yán）时匹配很方便应用于高（gāo）频（pín）设备。浮动通道可（kě）用于驱（qū）动高边配置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压（yā）可高达600V。
为自（zì）举供电（diàn）设计的浮动通道
全电压范围运（yùn）行达600V
低VCC工作范围
允许瞬态负电压，不受dV/dt影响
驱动电（diàn）源范围从7V到20V
欠（qiàn）压闭锁
3.3V、5V逻（luó）辑兼容
输入有下拉（lā）电（diàn）阻的COMS斯密特（tè）触发（fā）器
两（liǎng）通（tōng）道间匹配传（chuán）输延时
输入输出同相
典型开通/关断延时：170ns/170ns
典型驱动电流：2.5A/3.5A
400 080 9938
