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SiLM2004E

200V低压驱动芯片

样片申请

SiLM2004E Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性

安规认证（zhèng）

典型应用图

产品概述

SiLM2004E 是一款高压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用专有的高压（yā）集成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可提供可（kě）靠的（de）单芯片驱（qū）动方案。逻（luó）辑输入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输（shū）出（chū）兼容，最低（dī）支持（chí）3.3V逻辑。输出（chū）驱动器具（jù）有高脉冲电流缓冲级，以减小驱（qū）动器交叉导通（tōng）。浮（fú）动通道可用于（yú）驱（qū）动高边配置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性（xìng）

为自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负电（diàn）压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围从 10V 到 18V

欠压（yā）闭锁

3.3V、5V逻辑输入兼容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配传输延迟

通过无（wú）铅认证

提供 SOP-8 封装选项