FG电子(中国游)官方网站

SiLM2014A

200V低压（yā）驱动（dòng）芯片

样片申请（qǐng）

SiLM2014A_Datasheet

产品概（gài）述（shù）

产品特性

安规认（rèn）证（zhèng）

典型应用（yòng）图

产品概述

SiLM2014A 是一款高压、高速（sù）的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用（yòng）专有的（de）高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方（fāng）案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导（dǎo）通（tōng）。浮动通道可（kě）用（yòng）于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压（yā）高达 200V

容许瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电（diàn）源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 和 15V 逻辑（jí）输入兼容（róng）

驱动（dòng）电（diàn）流（liú）：1A/1.5A

防止交叉导（dǎo）通（tōng）逻辑

两通道（dào）间匹配传输延迟

输出信号与输入信（xìn）号同相

通过无铅认（rèn）证