FG电子(中国游)官方网站

SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保（bǎo）护低边门极驱动器

样片（piàn）申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特（tè）性

安规认证

典型应用（yòng）图

产（chǎn）品（pǐn）概述

SiLM27511H系（xì）列是单通道高欠压保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功（gōng）率（lǜ）开关。SiLM27511H 采用一种能够（gòu）从（cóng）内（nèi）部（bù）极大的降低（dī）直（zhí）通（tōng）电流的设计，将高峰值的源电流（liú）和（hé）灌（guàn）电（diàn）流脉冲提供给电容（róng）负载，以实现轨到（dào）轨（guǐ）的驱动能（néng）力和典（diǎn）型值仅为 18ns 的极小传播（bō）延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况（kuàng）下（xià），能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产（chǎn）品（pǐn）特性

低成本的门极驱（qū）动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分（fèn）离器（qì）件方案

4A的峰值源电流（liú）和 5A 的峰值灌电流能力（lì）

快速的（de）传（chuán）播延时（典型值为 18ns）

快（kuài）速（sù）的上（shàng）升和下降时间（典型值为（wéi） 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电（diàn）源范围（wéi）

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输（shū）入设计(可选择反相或非反相（xiàng）驱动（dòng）配置)

输入浮空时输（shū）出保持为低

工作温度（dù）范（fàn）围为（wéi） -40°C 到 140°C