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样片(piàn)申请 | 简体中文(wén)
SiLM27517H
单(dān)通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边(biān)门极(jí)驱动(dòng)器
样片申请
SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet
产品(pǐn)概述(shù)
产品特性
安规认证
典型应用图
产品概(gài)述

SiLM27517H 系列是单通道高欠压(yā)保护低(dī)边(biān)门极驱动器,可有(yǒu)效(xiào)驱动MOSFET和IGBT等功率(lǜ)开关。SiLM27517H 采用一种能够从内部(bù)极大的(de)降低直通电流的(de)设计,将高峰值的源电流和灌电(diàn)流脉冲提供给电(diàn)容负载,以实现(xiàn)轨到轨(guǐ)的(de)驱动能力(lì)和(hé)典(diǎn)型值仅(jǐn)为 18ns 的极(jí)小传播延迟(chí)。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下(xià),能够提(tí)供(gòng) 4A 的(de)峰值源电流和 5A 的(de)峰值灌(guàn)电流。SiLM27517H 欠压锁(suǒ)定保(bǎo)护 (UVLO)12.5/11.5V。


产品特性

低成(chéng)本的门极驱动方案可用(yòng)于替代 NPN和 PNP 分(fèn)离器件方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌(guàn)电流能力(lì)

快速的传播延时(shí)(典型值为 18ns)

快(kuài)速(sù)的(de)上升和下降时(shí)间(典型值(zhí)为 9ns/6ns)

13.5V 到 20V 的单电源(yuán)范围

SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻(luó)辑电(diàn)压阈值

双输(shū)入设计(可选择反相或非(fēi)反(fǎn)相(xiàng)驱动配(pèi)置)

输入浮空(kōng)时输出保持(chí)为低(dī)

工作温度(dù)范围为 -40°C 到 140°C

SiLM27517H 提供 SOT23-5 的封装选项

安规认证
典型应用图

图层 6.png

产(chǎn)品参数表

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Part Number Power Switch IOH/IOL(A) Input VCC (V) Prop. Delay(ns) Tr/Tf Typ. (ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
SiLM27517HAD-7GIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
SiLM27517HAD-AQIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
应用案例

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